特許
J-GLOBAL ID：200903041377984173
貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232197
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【目的】 ボイドフリーの良品を得る率が増大する貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法を提供すること。【構成】 第1の半導体ウエーハと第2の半導体ウエーハを接着することにより形成される貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法において、前記第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハは主面が鏡面研磨されるとともに、この研磨された第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハの主面上の任意の位置における被測定領域1mm□〜5mm□の範囲において、表面の凹形状が、P-V値で15nm以下であるものを用いて貼り合わせ半導体ウエーハを形成する構成の貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法である。
請求項（抜粋）：
第1の半導体ウエーハと第2の半導体ウエーハを接着することにより形成される貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法において、第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハは主面が鏡面研磨されるとともに、この研磨された第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハの主面上にの任意の位置における被測定領域が1mm□〜5mm□の範囲において、表面凹形状が、P-V値で15nm以下であるものを用いて貼り合わせ半導体ウエーハを形成することを特徴とする貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
