特許
J-GLOBAL ID:200903041423847011

半導体素子の封止構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-340158
公開番号(公開出願番号):特開平8-186327
出願日: 1994年12月29日
公開日(公表日): 1996年07月16日
要約:
【要約】【目的】 表側に光を出射し、且つ被照射部からの戻り光を入射させるCLCデバイスの光結合素子を用いた半導体素子の表側からの放熱を可能にする。【構成】 発光部と受光部が共通の基板上に近接して配置され、発光部から出射された出射光の被照射部からの戻り光が受光部によって共焦点位置近傍で受光検出されるようにして成る光結合素子51と、透明ヒートシンクによりなるパッケージ窓部32を有し、このパッケージ窓部32が光結合素子51の光が出力される表側に貼り合わされて構成する。
請求項(抜粋):
発光部と受光部が共通の基板上に近接して配置され、前記発光部から出射された出射光の被照射部からの戻り光が前記受光部によって共焦点位置近傍で受光検出されるようにして成る光結合素子と、透明ヒートシンクよりなるパッケージ窓部とを有する半導体素子の封止構造。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-133213   出願人:松下電子工業株式会社
  • 特開昭63-211778
  • 特開平2-196476

前のページに戻る