半導体レーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327131
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザからの出射光をフォトディテクタ基板法線方向に出射するとともに、半導体レーザとフォトディテクタを同一平面上に配置することにより組立精度を向上することを目的とする。【構成】〈110〉方向を軸とし、1〜11°のオフアングルを有する(511)面シリコン基板10、あるいは4〜14°のオフアングルを有する(100)面シリコン基板10に、(111)面の斜面をもつ段差11あるいは4つの斜面に囲まれた四角錐台状凹部を形成し、4つの斜面のうち45°に近い方の斜面を反射ミラー面12とし、この面12に対向する位置で凹部底面上に半導体レーザチップ13の前端面がほぼ平行になるように配置し、レーザ出射光が反射面で反射されてシリコン基板主面法線方向に出射されるようにした。

請求項（抜粋）：

〈110〉方向を軸として4〜14°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板と、そのシリコン基板上の所定部に形成された〈110〉方向を稜線方向として(111)面を斜面とする段差部と、その段差部の底面上で前記(111)面からなる反射ミラー面に対向する位置に前記段差部の稜線に対して前方端面がほぼ平行になるように配置された半導体レーザチップとを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01S 3/139

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-139628
特開平1-253983
特開平2-052487

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