特許

J-GLOBAL ID：200903041435557043

電子デバイス

発明者： 荻野 慎次 ,  漆谷 多二男
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102173
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288243
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】良好な結晶表面のシリコンカーバイド基板を備えた電子デバイスを得る。【構成】シリコンカーバイド基板を酸化シリコン,酸化アルミニウム,酸化クロムの群から選ばれた少なくとも一つを分散し、且つpHがアルカリ性の調製された懸濁液を用いて表面を湿式研磨する。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド基板を用いる電子デバイスであって、(1)シリコンカーバイド基板と、(2)成長膜とを有し、シリコンカーバイド基板は酸化シリコンSiO2,酸化アルミニウムAl2O3 ,酸化クロムCr2 O3の群から選ばれた少なくとも一つを分散し、且つpHがアルカリ性に調整された懸濁液を用いて表面を湿式研磨してなり、成長膜はシリコンカーバイド基板上に成長してなる膜であることを特徴とする電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C30B 25/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-357053   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特開昭56-055052
  
• 特開平4-207029
  
• 特開平1-265203