特許
J-GLOBAL ID：200903041439801402
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037376
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116962
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】本発明は、半導体プラスチックパッケージの製造において、特にパワー半導体モジュールを製造するための好適なモジュール構造、製造方法を提供することにある。【解決手段】パワー半導体素子等の他部品1、基板4、放熱板5、主端子2、制御系端子3よりなる半導体部品を搭載するための位置決め穴付き板6を用い、それをレジン7で封止した構成とすることで低価格で高信頼のレジン封止型のパワー半導体モジュール構造が達成できる。成形金型16他は、耐熱性の粘着テープ26、柔軟物30他を上型20の端子挿入部に設置した構造、あるいは、端子部2、3にダム部37を用いることで低価格で高信頼のレジン封止型のパワー半導体モジュール構造が達成できる。さらに、主端子2部がネジ締結接続となるものは、ネジ部品52を用いることで封止レジンとの一体化が容易となることで低価格で高信頼のレジン封止型のパワー半導体モジュール構造が達成できる。
請求項（抜粋）：
所定の電気回路を形成した基板に対して、該電気回路と電気的に接続する外部接続用端子をほぼ垂直に配置し、金型の上型あるいは下型の所定部分に設けられた凹部に補助部材を介して該外部接続用端子の一部が嵌合するように該基板を位置合わせし、該金型に樹脂を供給してトランスファ成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/56
H01L 25/04 C
, H01L 21/56 T
