特許

J-GLOBAL ID：200903041446854910

酸化チタン膜付き基板および酸化チタン膜の形成法

発明者： 早稲田 隆太
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113112
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302036
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 結晶化度が高く、従って光触媒機能の優れたアナターゼ型酸化チタンを含む薄膜を得ること。【解決手段】 基板上の少なくとも片面に1層以上の薄膜を形成し、少なくともその最上層が、X線回折によるところの結晶相としてアナターゼ型酸化チタンを含む薄膜であって、該薄膜の膜厚Dと、アナターゼ型酸化チタンのX線回折ピークの強度Iとの関係が、アナターゼ (101)面において、I(101)≧18D-250アナターゼ(200)面において、I(200)≧ 2D- 40である酸化チタン膜付き基板。なお、検出線:Cukα1 線、出力:Cu管球使用で40kV、100mA、走査速度:2°/min、使用スリット:発散スリット 0.2mm, 散乱スリット 8mm(受光スリット 無し)、付帯条件:薄膜アタッチメント使用のX線回折条件による。

請求項（抜粋）：

基板上の少なくとも片面に1層以上の薄膜を形成し、少なくともその最上層が、X線回折によるところの結晶相としてアナターゼ型酸化チタンを含む薄膜であって、該薄膜の膜厚Dと、アナターゼ型酸化チタンのX線回折ピークの強度Iとの関係が、アナターゼ (101)面において、I(101)≧18D-250アナターゼ(200)面において、I(200)≧ 2D- 40の関係にあること、但し上記X線回折測定条件が、検出線 Cukα1 線出力 Cu管球使用 40kV、100mA走査速度 2°/min使用スリット 発散スリット 0.2mm、散乱スリット 8mm(受光スリット 無し)付帯条件 薄膜アタッチメント使用であることを特徴とする酸化チタン膜付き基板。

IPC (3件)：

C03C 17/245 ,  B01J 21/06 ,  B01J 35/02 ZAB

FI (3件)：

C03C 17/245 Z ,  B01J 21/06 M ,  B01J 35/02 ZAB J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 被膜形成ガラスおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233689   出願人：セントラル硝子株式会社