特許
J-GLOBAL ID：200903041465194298
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235767
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086568
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 アセンブリ工程後でもブートタイプの変更が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 PROM書込回路1は、アセンブリ後のファイナルテスト中に、外部から与えられたブートタイプ情報をT/B用PROM2に書込む。切換信号発生回路3は、T/B用PROM2に書込まれたブートタイプ情報に従って、ブートタイプを設定するための信号T/Bを出力する。ワイヤボンディングでブートタイプを設定していた従来と異なり、アセンブリ後でもブートタイプを設定できる。
請求項（抜粋）：
データの書換頻度が高いメインメモリブロックとデータの書換頻度が低いブートブロックとに分割されたメモリセルアレイを備え、前記ブートブロックのアドレスが前記メインメモリブロックのアドレスよりも上位に配置されたトップブートタイプと下位に配置されたボトムブートタイプとのうちのいずれか一方に選択的に設定することが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、前記不揮発性半導体記憶装置を前記トップブートタイプまたは前記ボトムブートタイプに設定するためのブートタイプ情報を記憶するためのプログラマブルROM、外部から与えられた前記ブートタイプ情報を前記プログラマブルROMに書込むための書込手段、および前記プログラマブルROMに書込まれたブートタイプ情報に従って、前記不揮発性半導体記憶装置を前記トップブートタイプまたは前記ボトムブートタイプに設定するための第1または第2の信号を出力する信号発生手段を備える、不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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