特許
J-GLOBAL ID：200903097852237421
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058777
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004227
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 磁場センサまたは磁気ランダム・アクセス・メモリ・アレイ内のメモリ・セルとして使用可能な磁気トンネル接合素子を提供すること。【解決手段】 MTJ素子が拘束強磁性層18を含み、その磁化方向が層の平面内で配向されるが、対象範囲内の印加磁場の存在の下では回転できないように固定される。"フリー"の強磁性層は、その磁化方向が拘束強磁性層18の固定磁化方向に対して層の平面内で回転可能であり、絶縁トンネル障壁層20が両方の強磁性層間にそれらと接触して配置される。拘束強磁性層18は、隣接する反強磁性層16との界面交換結合により拘束される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成される平坦な拘束強磁性層と、前記拘束強磁性層に隣接してそれと接触し、前記拘束強磁性層の磁化方向を好適な方向に拘束し、印加磁場の存在の下で、前記磁化方向の回転を阻止する反強磁性層とを有する第1の電極と、印加磁場の存在の下で、磁化方向を自由に回転することができる平坦なフリー強磁性層を有する第2の電極と、前記拘束強磁性層と前記フリー強磁性層との間に配置され、前記拘束強磁性層及び前記フリー強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を許可する絶縁トンネル層であって、前記拘束強磁性層または前記フリー強磁性層が、前記絶縁トンネル層の側部周囲を越えて延びることのない側部周囲を有し、前記拘束強磁性層及び前記フリー強磁性層が前記絶縁トンネル層とオーバラップすること無く、間隔をあけた別の平面内に保持される、前記絶縁トンネル層と、を含む、磁気トンネル接合素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 Z
