特許

J-GLOBAL ID：200903041475768152

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 聖幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277320
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120953
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】金属膜と有機膜から成る反射防止膜の積層膜のエッチングを行う場合、高選択比のエッチング及び金属膜の配線幅制御が容易にできない。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜2を形成し、その上にWSi膜3を形成する。次に、有機膜から成る反射防止膜4と厚さ700nmのフォトレジスト膜5を形成しパターニングする。次に、フォトレジスト膜5をマスクとして反射防止膜4並びにWSi膜3を塩素ガスプラズマ6を用いてドライエッチングする。その後、酸素プラズマ7により、フォトレジスト膜5並びに反射防止膜4を灰化して完全に剥離する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜と金属膜と有機膜からなる反射防止膜とを順次形成したのち、この反射防止膜と金属膜とをエッチングし配線を形成する半導体装置の製造方法において、ハロゲンガス及びハロゲン化水素ガスから成る群から選択された少くとも一種類の反応ガスを用い前記反射防止膜と前記金属膜とを同一装置内で連続してドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-343274   出願人：ソニー株式会社
• 反射防止膜およびこれを使用した半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-281728   出願人：三星電子株式会社