半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220503
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075244
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板を用いて形成されたアクティブマトリクス型光弁装置用駆動基板の信頼性を改善する。【構成】半導体装置は、電気絶縁物1上に設けられた単結晶シリコン層2に少なくとも集積回路が形成されている。この集積回路はシリコンオキシナイトライド膜又はシリコン窒化膜3を最上層とするパッシベーション膜で被覆されている。このパッシベーション膜上に接着剤層5が介在し、この接着剤層5により電気絶縁物1上に設けられた単結晶シリコン層2が保持部材6に接着固定されている。この様に、SOI基板に形成された集積回路を透明な保持部材6に転写する事により、光弁装置の駆動基板に適した半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

電気絶縁物上に設けられた単結晶シリコン層に少なくとも集積回路が形成されており、その集積回路はシリコンオキシナイトライド膜又はシリコン窒化膜を最上層とするパッシベーション膜で被覆されており、かつパッシベーション膜上に接着剤層が介在し、この接着剤層により電気絶縁物上に設けられた前記単結晶シリコン層が保持部材に接着固定されている構造を持つ事を特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/318 , H01L 27/12 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-178633
特開平4-170520
特開昭63-101830

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