特許

J-GLOBAL ID：200903041590296701

多結晶シリコン薄膜積層体、その製造方法、シリコン薄膜太陽電池

発明者： 近藤 均
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 柏木 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126800
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312258
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 基板の表面に(111)配向の多結晶シリコン薄膜を大径の粒径で形成する。【解決手段】 基板2の表面に非晶質または微結晶質のシリコン薄膜4を成膜し、その表面にレーザビームを照射して(111)配向の多結晶シリコンのシード層5を形成し、この表面にエネルギビームを照射しながらシリコン原子またはシリコン化合物分子を堆積させて(111)配向の多結晶シリコンの成長層6を形成する。(111)配向の多結晶シリコン薄膜3は欠陥が少なく、上述の方法で製造すれば大径の粒径で所望の膜厚に形成できる。粒径が大径で欠陥が少ない多結晶シリコン薄膜3は、例えば、シリコン太陽電池の高効率な光キャリア発生層に利用することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板の表面に形成された(111)配向の多結晶シリコン薄膜と、を有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜積層体。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多結晶半導体膜およびこれを用いた薄膜トランジスタ並びに多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092260   出願人：三洋電機株式会社