特許
J-GLOBAL ID:200903041628984879

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-099846
公開番号(公開出願番号):特開2004-311539
出願日: 2003年04月03日
公開日(公表日): 2004年11月04日
要約:
【課題】半導体装置の信頼性および組立て工程の歩留の向上を図ることが可能な半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】第1および第2のクリップ30、31の一方端部を、第2および第3のリード端子14、15の低融点半田23c、23d上にそれぞれ載置し、且つ第1および第2のクリップ30、31の他方端部を、ソース電極21およびゲート電極22の低融点半田23a、23b上にそれぞれ載置する。次に、フレーム10を移動させずに、その載置場所において、第1および第2のクリップ30、31の両端部にレーザ光を照射することにより、低融点半田23a、23b、23c、23dをそれぞれ溶融させ、第1および第2のクリップ30、31とリード端子14、15および電極21、22との双方を合金化させることにより、それぞれ固着する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、 前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、 この載置工程において、前記板状接続導体を前記リード端子および前記電極にそれぞれ固着する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (1件):
H01L21/60 321E
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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