特許
J-GLOBAL ID：200903041659672930
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
,
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202325
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードの出力効率の向上【構成】活性層5をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、サファイア基板1と、サファイア基板1上に直接又はバッファ層2を介在させて、ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x ≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層3、4、5、6と、多重層の最上層6に反射膜で形成された第1電極層8と、サファイア基板1に形成された穴1Aにおいて多重層の露出した最下層3に形成された反射膜で形成された第2電極層9とを有し、第1電極層と第2電極層と、それらの間の多重層とで共振器を構成し、電極層に垂直な方向にレーザを出力するようにした。
請求項（抜粋）：
活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、サファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、前記ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、前記多重層の最上層に反射膜で形成された第1電極層と、前記サファイア基板に形成された穴において前記多重層の露出した最下層に形成された反射膜で形成された第2電極層と、を有し、前記第1電極層と第2電極層と、それらの間の多重層とで共振器を構成し、前記電極層に垂直な方向にレーザを出力するようにしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
引用特許：
前のページに戻る
