特許

J-GLOBAL ID：200903041659715116

処理液調製供給方法及び装置

発明者： 中川 俊元 ,  片桐 優子 ,  小川 修 ,  小早川 泰之 ,  菊川 誠 ,  齋藤 豊 ,  西嶋 佳孝
出願人/特許権者： 株式会社平間理化研究所 ,  長瀬産業株式会社 ,  ナガセシィエムエステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007600
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209092
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板等の処理に使用される処理液を、使用側に供給する際に、処理液の劣化及び濃度変動を抑えることができ、且つ、パーティクルを低減できると共に、経済性をも向上できる処理液調製供給方法及び装置を提供する。【解決手段】 処理液調製供給装置100は、原料粉末Gと超純水Jが供給される溶解調製槽102を備えている。溶解調製槽102は配管K1を介して基体の処理装置90に接続されており、オンサイトで原料粉末Gから調製された処理液Wが処理装置90に供給される。このとき、超純水J中の微生物濃度の増加を抑えるべく、超純水Jを略常時流通させる。

請求項（抜粋）：

素子が形成される基体の処理に用いられる処理液を調製し、該処理液を該基体の処理工程に供給する方法であって、前記処理液の固体原料を純水に溶解せしめて前記処理液を調製する調製工程と、前記処理液を前記基体の処理工程に管路を介して供給する供給工程と、を備えており、前記調製工程においては、前記純水を略常時流通又は流動させる、ことを特徴とする処理液調製供給方法。

IPC (7件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/26 ,  C25D 21/14 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 648

FI (8件)：

C23F 1/26 ,  C25D 21/14 A ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/30 569 Z ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096GA09 ,  2H096LA30 ,  4K057WB08 ,  4K057WE02 ,  4K057WE14 ,  4K057WE23 ,  4K057WE25 ,  4K057WE30 ,  4K057WN01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043EE28 ,  5F043EE31 ,  5F046LA19 ,  5F046MA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-113996   出願人：株式会社東芝