薄膜磁気ヘッド

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154310
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】従来、磁気抵抗効果素子層の上下に形成されるギャップ層はAl2O3やSiO2など熱伝導率の低い絶縁材料で形成されていたため、高記録密度化に伴い、電流密度を増大させると、前記磁気抵抗効果素子層から発生する熱により、素子部温度が上昇し、再生感度が低下するといった問題があった。【解決手段】下部ギャップ層2が、Al2O3などで形成された下地密着層12、熱伝導率の高いAlN膜13、及びAl2O3などで形成された保護層14により形成されている。下部ギャップ層2がAlN膜13を含むことにより、前記下部ギャップ層2の熱伝導率は従来に比べて非常に高いものとなっている。従って、磁気抵抗効果素子層16から発生する熱を効率良く、前記下部ギャップ層2を介して下部シールド層1に逃がすことができ、素子部温度の上昇を抑制し、良好な再生感度を得ることが可能である。

請求項（抜粋）：

下部シールド層の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える電極層と、前記電極層の上に上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層とから成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部ギャップ層と上部ギャップ層のうち少なくとも一方は、AlN,SiC,DLC(ダイヤモンドライクカーボン),BN,MgO,SiAlON,AlON,Si3N4,SiCO,SiN,SiON,SiCONのいずれか1種または2種以上から成る絶縁膜により形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

IPC (2件)：

G11B 5/39 , H01F 10/30

FI (2件)：

G11B 5/39 , H01F 10/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-067036 出願人：日本碍子株式会社
磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245592 出願人：株式会社日立製作所
磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-155434 出願人：アルプス電気株式会社

全件表示

前のページに戻る