特許
J-GLOBAL ID：200903041672922953
GaN系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327927
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163401
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 ブラッグ反射層の結晶性低下を改善し、反射率の低下を改善して、発光特性に優れたGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 ベース基板1を最下層とし、その上にGaN系結晶からなる層を順次成長させ、発光層S4を含む積層体Sを形成し電極X、Yを形成してGaN系発光素子とする。このとき、ベース基板1と発光層S4との間には、マスク層M、それを覆う転位線制御層S1、ブラッグ反射層B1を設ける。ブラッグ反射層は転位線制御層S1よりも上層側とし、転位線による結晶性の低下を改善する。転位線制御層S1は、非マスク領域11を成長の出発面とし、マスク層上面を覆うまで結晶成長してなるGaN系結晶層である。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板を最下層とし、その上に、GaN系結晶からなり発光層を含む複数の層が順次成長し積み重なって積層体が形成され、これにp型電極、n型電極が設けられた構成を有する半導体発光素子であって、ベース基板と発光層との間には、マスク層と、該マスク層を覆う層と、ブラッグ反射層とが、これらのなかでブラッグ反射層が最も上層側となるように設けられ、マスク層は、該マスク層が設けられる層の上面に、マスク領域と非マスク領域とを形成するように部分的に設けられるものであり、マスク層の材料はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料であり、マスク層を覆う層は、非マスク領域を成長の出発面とし、マスク層上面を覆うまで結晶成長してなるGaN系結晶層である、GaN系半導体発光素子。
引用特許：
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