特許
J-GLOBAL ID：200903032728121895
3-5族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135770
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】埋め込み構造を有する薄層の3-5族化合物半導体、および3-5族化合物半導体と3-5族化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】InuGavAlwN(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される第1の3-5族化合物半導体1からなる層の上に、第1の3-5族化合物半導体とも異なり、第2の3-5族化合物半導体とも異なる材料からなるパターン2を有し、第1の3-5族化合物半導体と該パターンの上に、一般式InxGayAlzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される第2の3-5族化合物半導体からなる層3を有する3-5族化合物半導体において、第1の3-5族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンである1.0μm以下である3-5族化合物半導体。
請求項（抜粋）：
一般式InuGavAlwN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される第1の3-5族化合物半導体からなる層の上に、前記の第1の3-5族化合物半導体とも異なり、後記の第2の3-5族化合物半導体とも異なる材料からなるパターンを有し、該第1の3-5族化合物半導体と該パターンの上に、一般式InxGayAlzN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される第2の3-5族化合物半導体からなる層を有する3-5族化合物半導体において、該パターンが第1の3-5族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が1μm以下であることを特徴とする3-5族化合物半導体。
IPC (8件)：
H01L 29/20
, H01L 21/205
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/80
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 29/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/80 H
, H01L 29/80 V
