特許
J-GLOBAL ID：200903041675720642
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163724
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 層間膜の1構成にSOG塗布方法またはTMOS-CVD法により形成される平坦化絶縁膜など水分を多く含んでいるものを用いても、素子が劣化しないようにすることを目的とする。【構成】 第1金属配線層4上に、ECRプラズマCVD法により水分の透過しにくい第1の絶縁膜5を形成し、この上に平坦化機能を有する第2の絶縁膜6を形成し、その後TEOSプラズマCVD法により400°Cに基板10を加熱しながらSiO2 を堆積して第3の絶縁膜7を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を下層に有する基板上に次の配線層を形成する工程の前に、水分の透過を抑制する第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に塗布法または化学気相成長法などにより第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に前記基板を加熱しながら第3の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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