スーパールミネッセントダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080053
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284223
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】スペクトル幅が広く、かつ、パワーの大きなコヒーレント光を出力するスーパールミネッセントダイオードを得ること。【解決手段】第1の導電型の半導体基板(1)上に、第1の導電型のクラッド層(2)を積層し、その上に層厚が4nm以下の障壁層及び出力波長に応じた層厚5nm程度の井戸層を5層以上積層した多重量子井戸構造とし、さらにその上に、第2の導電型のクラッド層を積層して、スーパールミネッセントダイオードを得る。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板(1)上に、第1の導電型のクラッド層(2)、多重量子井戸構造を含む活性層(3)および第2の導電型のクラッド層(7)の順に積層されてなるスーパールミネッセントダイオードであって、前記活性層の多重量子井戸構造は障壁層(5)の層厚が4nm以下であり、かつ、井戸層(4)の層数が5層以上であることを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-196492
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225363 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-050278 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

特開平4-196492
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225363 出願人：株式会社東芝
特開平4-196492

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