特許
J-GLOBAL ID:200903041710159363

有機半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-197434
公開番号(公開出願番号):特開2005-038631
出願日: 2003年07月15日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】多様なデバイスを実現可能な有機半導体装置を提供する。【解決手段】基板2の上にはゲート電極3が形成されており、ゲート電極3の上には絶縁体層4が形成されている。絶縁体層4の上には、基板2に平行な方向に間隔を開けて配置された電子注入電極5および正孔注入電極6が形成されている。ゲート電極3は、電子注入電極5および正孔注入電極6の間の領域を含む領域に対向して設けられている。電子注入電極5および正孔注入電極6の上ならびに電子注入電極5と正孔注入電極6との間には、有機半導体層7が形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、 この基板上に形成された有機半導体層と、 第1の電極材料からなり、上記有機半導体層に電子を注入する電子注入電極と、 上記第1の電極材料よりも仕事関数が高い第2の電極材料からなり、上記有機半導体層に正孔を注入する正孔注入電極とを含み、 上記電子注入電極および正孔注入電極が、上記基板に平行な方向に間隔を開けて配置されていることを特徴とする有機半導体装置。
IPC (2件):
H05B33/14 ,  H05B33/10
FI (2件):
H05B33/14 A ,  H05B33/10
Fターム (6件):
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC04 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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