特許
J-GLOBAL ID：200903045550881410

膜パターンの形成方法、膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置

発明者：
宮澤 貴士

宮澤 貴士 について

, 
石田 方哉

石田 方哉 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362743
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162058
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】光分解性に優れた分子膜を用いて効率良く分子膜パターンを形成する。【解決手段】下記の式(14)で示される化学構造を有する化合物を原料として分子膜12を形成した後、この分子膜12にフォトマスク13を介して、波長308nmの紫外光を照射する。【化26】
請求項（抜粋）：
ケイ素(Si)-ケイ素結合、ケイ素-ゲルマニウム(Ge)結合、ケイ素-スズ(Sn)結合、ゲルマニウム-スズ結合、およびスズ-スズ結合からなる群から選択された少なくとも1つの光反応性結合と、芳香族炭化水素部と、を含む化合物を原料として、膜を形成する工程と、前記工程で形成された膜の少なくとも一部分に、前記光反応性結合に反応を生じさせる所定波長の光を照射する工程と、を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (7件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 521 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 521 ,  G03F 7/075 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 618 B
Fターム (40件)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BF30 ,  2H025BH03 ,  2H025EA06 ,  2H025FA03 ,  2H025FA39 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE41 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31 ,  5F110HL02 ,  5F110HL21 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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