特許

J-GLOBAL ID：200903041719018762

薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者： 河北 哲郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083320
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275678
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタ(TFT)の性能で移動度を向上させるためにはゲート絶縁膜を薄くしていく方向で進められている。しかしゲート絶縁膜を薄くしていくとゲートリーク等の課題があり、安定かつ信頼性の高いTFTを得ることが難しくなってくる。よってゲート絶縁膜を薄くするのも限界がある。【解決手段】 ゲート絶縁膜に高誘電率絶縁材料、もしくはこの材料を含んだ積層構造とする。これによって厚い膜厚でも高い容量が得ることができ、結果として高い移動度のTFTを実現する子ができる。

請求項（抜粋）：

ソース領域、ドレイン領域、ゲート領域を有する薄膜半導体装置であって、半導体層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極層の順番で下層から積層され、前記ゲート絶縁膜がシリコン酸化膜より少なくとも誘電率が2倍以上高い材料で構成されたことを特徴とした薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 U

Fターム (43件)：

2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA11 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法とアクティブマトリックスアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-058918   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-350709   出願人：ソニー株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057482   出願人：松下電器産業株式会社