特許

J-GLOBAL ID：200903041727156899

半導体装置

発明者： 大石 司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-073769
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の動作速度を向上させ消費電力を低減する。【解決手段】 内部回路2A,2Bに流れる電流は、内部回路2A,2Bで必要な分だけ2つのカレントミラー回路を構成するトランジスタ13〜20を用いてノードN5,N6を通って供給する。内部回路2A,2Bに供給する電圧は、トランジスタ10からノードN5,N6を通じて供給する。

請求項（抜粋）：

第1の電源と第2の電源に接続された一つの半導体チップ内に設けられ第1のノードと第2のノードの間に形成される一つの電流経路に挿入され前記第1のノードを通じて内部電源電圧を供給される内部回路と、制御電極と前記第1の電源に接続された第1の電流電極と前記第1のノードに接続された第2の電流電極を有する第1の絶縁ゲート型トランジスタと、前記第1の絶縁ゲート型トランジスタの前記第1の電流電極に接続された第1の電流電極と前記第1の絶縁ゲート型トランジスタの前記制御電極に接続された制御電極と前記第1の絶縁ゲート型トランジスタの前記制御電極に接続された第2の電流電極を有する第2の絶縁ゲート型トランジスタと、前記第2の電源に接続された第1の電流電極と前記第2のノードに接続された第2の電流電極と前記第2のノードに接続された制御電極を有する第3の絶縁ゲート型トランジスタと、前記第3の絶縁ゲート型トランジスタの前記制御電極に接続された制御電極と前記第2の電源に接続された第1の電流電極と前記第2の絶縁ゲート型トランジスタの前記第2の電流電極に接続された第2の電流電極を有する第4の絶縁ゲート型トランジスタと、前記第1のノードに内部電源電圧を供給する電圧供給回路とを備える半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 11/407 ,  G05F 3/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 17/04

FI (4件)：

G11C 11/34 354 F ,  G05F 3/24 A ,  H03K 17/04 E ,  H01L 27/04 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-030389
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012146   出願人：三菱電機株式会社