特許
J-GLOBAL ID：200903041729483935
酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157316
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008024
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜としての電気特性が向上した酸化シリコン膜および酸化シリコンからなるパターンを形成する。【構成】 本発明の酸化シリコン膜の形成方法では、基体1上に、SiO<SB>4-n </SB>(OR)<SB>n </SB>〔Rはアルキル基を表し同一であっても異なっていてもよい、nは0≦n<4の整数を表す〕で表される構造を含む樹脂と酸発生剤とを含有してなる組成物の塗布膜2を形成し、次いで塗布膜2を露光処理した後加熱処理し、または露光処理を行わずに塗布膜2を加熱処理し、続いて加熱処理後の膜4を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露し、酸化シリコン膜5を得る。
請求項（抜粋）：
下記式で表される構造を含む樹脂と、露光または加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有してなる組成物を用いて、基体上に酸化シリコン膜を形成する方法であって、【化1】前記基体上に前記組成物からなる膜を形成する第1工程と、該膜を露光処理した後加熱処理し、または前記膜を加熱処理する第2工程と、該第2工程により形成された膜を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露し、酸化シリコン膜を得る第3工程とを有することを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/316
, C01B 33/12
, C08G 77/18
, C08L 83/06
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
, H01L 21/312
H01L 21/316 G
, C01B 33/12 C
, C08G 77/18
, C08L 83/06
, G03F 7/075 511
, H01L 21/312 C
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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