特許

J-GLOBAL ID：200903041753357274

炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法

発明者： 桐谷 範彦
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212017
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031571
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 SiC上に形成する酸化膜中にCを含む遷移層の形成を抑制し、界面準位密度Ditを低減することによりMOSトランジスタのキャリア移動度を向上させて素子の性能を向上させる。【解決手段】 SiC基板を反応管へ導入し(S10)、反応管内の雰囲気を不活性ガスに置換し(S12,S14)、SiC基板を不活性ガス雰囲気中で酸化温度まで上昇させ(S16)、不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換し(S18,S20)、酸化性ガス雰囲気中でSiC基板を所定の時間酸化し(S22)、酸化性ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換し(S24,S26)、不活性ガス雰囲気中でSiC基板の温度を降下させ(S28)、その後SiC基板を取り出す(S30)。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、熱酸化膜を形成する所望の温度においてのみ前記炭化珪素半導体の周囲に酸化性ガス雰囲気を形成して、該炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (16件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BD05 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189954   出願人：富士電機株式会社