特許

J-GLOBAL ID：200903041766117795

GaN薄膜の形成方法

発明者： 田中 悟 ,  岩井 荘八 ,  青柳 克信
出願人/特許権者： 理化学研究所
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045405
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219540
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成する際に、GaN薄膜中の転位密度を大幅に低減させる。【解決手段】SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成するGaN薄膜の形成方法において、上記AlN薄膜の厚さを4.6nm以下にする。

請求項（抜粋）：

SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成するGaN薄膜の形成方法において、前記AlN薄膜の厚さを4.6nm以下にすることを特徴とするGaN薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-223330
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社