特許
J-GLOBAL ID：200903041768263519
半田バンプ電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037128
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置上への半田バンプ電極の製造における脆弱な半田金属間化合物生成の抑制方法とその構造を提供する。【解決手段】 半田バンプを形成する前に下地金属膜をエッチング技術により除去を行なう。このエッチング時に生成する下地金属の副生成物を電極下地部の表面に堆積させ、その後に半田バンプを形成する。この方法で作られた半田バンプの構造は半田バンプと電極下地部の間に下地金属の副生成物があるため、半田が電極下地部との界面に脆弱な半田金属間化合物を生成さずに機械的に丈夫な半田バンプを製造できる。
請求項（抜粋）：
半田バンプと電極下地部表面の間に下地金属エッチング時に発生する下地金属の副生成物を堆積させた構造の半田バンプ。
FI (2件)：
H01L 21/92 603 D
, H01L 21/92 602 H
