特許
J-GLOBAL ID：200903061709023360
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214232
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049181
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の電極上に、信頼性の優れた突起電極を備えた半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板10上に複数個形成された電極11と、電極11の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜13と、電極11上部に形成された各めっき膜15、16と、各めっき膜15、16上に形成された突起電極17とを備えた半導体装置において、各めっき膜15、16の電極11と接する側が無電解めっき膜15にて形成され、電極11と無電解めっき膜15との間に活性化層14を備えたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数個形成された電極と、上記電極の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜と、上記電極上部に形成されためっき膜と、上記めっき膜上に形成された突起電極とを備えた半導体装置において、上記めっき膜の上記電極と接する側が無電解めっき膜にて形成され、上記電極と上記無電解めっき膜との間に活性化層を備えたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 M
