特許

J-GLOBAL ID：200903041790540194

半導体装置

発明者： 池橋 民雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265130
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101026
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 フィンガー効果が起こりにくい信頼性の高い保護素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板10に形成されるバイポーラ型保護素子の、一つのパッドに接続される複数のストライプ状パターンのコレクタ層13に対して、これらのコレクタ層13の先端部a1,b1,c1及びa2,b2,c2を短絡する第1の配線21と、中央部d,e,fを短絡する第2の配線22とを配設して、全コレクタ層13で一様にブレークダウンが生じるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、一つのパッドに接続されるストライプ状パターンの複数の拡散層を持つ保護素子が形成された半導体装置において、前記複数の拡散層の長手方向先端部を短絡する第1の配線と、この第1の配線とは異なる層において前記複数の拡散層の長手方向中央部を短絡する第2の配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 102 A

Fターム (12件)：

5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB10 ,  5F048CA01 ,  5F048CC10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置における静電保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319480   出願人：日本電気株式会社