特許
J-GLOBAL ID:200903041798971267
ドライクリーニング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小原 肇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-146984
公開番号(公開出願番号):特開平7-078802
出願日: 1993年05月24日
公開日(公表日): 1995年03月20日
要約:
【要約】【目的】 短時間で効率的にフッ化炭素系付着物を除去することができ、しかも処理容器内の部品の消耗を格段に抑制することができるドライクリーニング方法を提供する。【構成】 本ドライクリーニング方法は、半導体ウエハWを処理する際に処理容器1内に付着したフッ化炭素系付着物からなる薄膜Fを除去する際に、酸素ガスに水素ガスを添加したクリーニングガスをプラズマ化した後、このプラズマ中の酸素ラジカルO*によってフッ化炭素系付着物をエッチングすると共に炭化珪素やシリコンからなる処理容器1内のフォーカスリング10等の部品の消耗を抑制することを特徴とする。
請求項(抜粋):
被処理体を処理する際に処理容器内で付着したフッ化炭素系付着物を除去するドライクリーニング方法において、酸素ガスに水素ガスを添加したクリーニングガスをプラズマ化した後、このプラズマによって上記フッ化炭素系付着物をエッチングすることを特徴とするドライクリーニング方法。
IPC (2件):
H01L 21/3065
, H01L 21/304 341
FI (2件):
H01L 21/302 N
, H01L 21/302 F
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭59-011629
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特開昭61-222227
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特開昭63-221620
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特開昭63-221620
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基板表面処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-208455
出願人:株式会社東芝
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特開昭59-011629
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特開平4-022123
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特開平4-022123
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