薄膜単結晶の成長方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066020
公開番号（公開出願番号）：特開2004-269338
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】高品質の薄膜単結晶を形成することができる薄膜単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】成膜装置1は、PLD法によって成膜する装置であり、レーザ部4からレーザ光42を、回転するターゲット台5に載置されたターゲット3に照射し、ターゲット3を構成する原子を励起し、熱的・光化学的作用により、ターゲット3から金属原子を遊離させる。遊離した金属原子は、チャンバ2中の雰囲気にラジカル注入部8から注入されたラジカルと結合し、β-Ga2O3単結晶からなる薄膜をβ-Ga2O3単結晶からなる基板6上に成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を準備し、所定の雰囲気中で純金属あるいは合金からなる金属ターゲットに励起ビームを照射し、これにより金属ターゲットから放出された原子、分子、イオン等の化学種と前記所定の雰囲気の原子とを結合させて前記基板上に薄膜を成長させることを特徴とする薄膜単結晶の成長方法。

IPC (11件)：

C30B23/08 , C01G9/02 , C01G15/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/28 , C30B29/16 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L33/00

FI (12件)：

C30B23/08 Z , C01G9/02 B , C01G15/00 H , C23C14/06 A , C23C14/08 C , C23C14/08 J , C23C14/24 E , C23C14/28 , C30B29/16 , C30B29/38 D , H01L21/203 S , H01L33/00 A

Fターム (37件)：

4G047AA02 , 4G047AB01 , 4G047AD02 , 4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BB10 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077DA14 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EA05 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4K029BA43 , 4K029BA49 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029DA04 , 4K029DB20 , 4K029DC03 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 5F041CA06 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA83 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

パルスレーザ蒸着法によるセラミックス複合系材料薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-360581 出願人：日本電気株式会社
特開平3-093608
酸化物薄膜の製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169734 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, シヤープ株式会社, 株式会社神戸製鋼所, 電源開発株式会社

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