特許

J-GLOBAL ID：200903041826857629

有機半導体のドーピングを目的とした複素環式ラジカルの使用

発明者： ザイカ,オラフ ,  ルクス,アンドレア ,  グリューシング,アンドレ ,  リンメルト,ミヒャエル ,  ハルトマン,ホルスト ,  ヴェルナー,アンスガー
出願人/特許権者： ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-500751
公開番号（公開出願番号）：特表2009-530835
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

本発明は、複素環式ラジカル類又はジラジカル類、これらのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物及び多環類を、有機半導体マトリックス材料のドーピング用のドーパントとして用いる使用に関し、ここで当該ドーパントは以下の式に基づく構造を有する。【化1】

請求項（抜粋）：

複素環式ラジカル又は複素環式ジラジカル、これらのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物及び多環類の、電子デバイス又はオプトエレクトロニクスデバイスにおける、有機半導体マトリックス材料のドープのためのドーパント、ブロッキング層、電荷注入層、電極材料、メモリー材料、又は半導体層自身としての使用であって、 当該複素環式ラジカル又は複素環式ジラジカルが以下の式:

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26

FI (8件)：

H01L29/28 250G ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250H ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z

Fターム (7件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107DD73 ,  3K107DD76 ,  3K107DD78 ,  3K107FF14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光電変換素子および光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139042   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 有機赤色電気発光装置およびドーパント
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-237060   出願人：シンテックゲゼルシャフトフュエルヒェミーウントテクノロジーデアインフォメーションソフツェイシュングエムベーハー
• ドープされた有機半導体材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-225183   出願人：ノヴァレッド・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
• 光起電力装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259245   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (4件)

• 光電変換素子および光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139042   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 有機赤色電気発光装置およびドーパント
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-237060   出願人：シンテックゲゼルシャフトフュエルヒェミーウントテクノロジーデアインフォメーションソフツェイシュングエムベーハー
• ドープされた有機半導体材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-225183   出願人：ノヴァレッド・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
• 光起電力装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259245   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "Photochemical Doping of TCNQ by Photoinduced Electron Transfer and C-C Cleavage of Radical Cation"

審査官引用 (1件)

• "Photochemical Doping of TCNQ by Photoinduced Electron Transfer and C-C Cleavage of Radical Cation"