不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074504
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265787
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】書込み動作時、温度変化に対する書込み時間,書込み速度の変化量を低減して安定した書込み特性が得られるようにする。【解決手段】書込み用ドレイン電圧発生回路7の基準電圧発生部71を、抵抗R1の活性化エネルギーEoを0.2eV、抵抗R2を0.1eVとして温度変化に対して正の温度特性をもつ基準電圧Vraを発生する回路とする。この基準電圧Vraと対応する電圧レベルの書込み用ドレイン電圧パルス信号Pvdを選択されたメモリセルトランジスタのドレインに印加する。メモリセルトランジスタに供給される高温時のドレイン電流を増大させ、書込み時間の温度変化に対する変化量を低減する。

請求項（抜粋）：

電気的にしきい値電圧を変化させてデータの書込み,消去を行うメモリセルトランジスタを複数行,複数列に配置したメモリセルアレイと、前記メモリセルトランジスタの複数列それぞれと対応して設けられ対応する列のメモリセルトランジスタのドレインと接続する複数のディジット線と、書込み動作時に前記複数のディジット線のうちの所定のディジット線を選択する列選択手段と、所定のレベルの電源電圧から基準電圧を発生する基準電圧発生部を含み前記基準電圧と対応する電圧レベルで所定のパルス幅をもつ書込み用ドレイン電圧パルス信号を発生して前記列選択手段で選択されたディジット線に供給する書込み用ドレイン電圧供給手段と、消去動作時に消去用ソース電圧を発生して前記メモリセルアレイの全てのメモリセルトランジスタのソースに供給する消去用ソース電圧発生手段とを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記書込み用ドレイン電圧供給手段を、書込み動作時に所定の温度特性をもつ電圧レベルの前記書込み用ドレイン電圧パルス信号を発生する回路とし、書込み動作時の前記メモリセルトランジスタの初期状態,消去状態のときのしきい値電圧から書込み状態のときのしきい値電圧へと変化するまでの時間の温度変化に対する変化量を低減するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196392 出願人：日本電気株式会社

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