特許
J-GLOBAL ID:200903041893989912

半導体加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 強
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-045402
公開番号(公開出願番号):特開平11-242052
出願日: 1998年02月26日
公開日(公表日): 1999年09月07日
要約:
【要約】【課題】 簡単な構成で異なる大きさの加速度或いは異なる方向の加速度を検出できるようにする。【解決手段】 半導体加速度センサチップ1には第1〜第3のセンサエレメント2〜4が形成されている。このセンサエレメント2〜4はマイクロマシニング技術により形成されており、アンカ部6にスパイラル形状の梁部7を一体に形成すると共に当該梁部7の先端に環状のおもり可動電極8を一体に形成し、さらに可動電極8を包囲するように固定電極9を形成してなる。加速度センサチップ1に加速度が印加すると、加速度の大きさに応じておもり可動電極8が移動して固定電極9に接触してオンする。この場合、各センサエレメント2〜4がオンする加速度を異ならして設定することにより、センサエレメント2〜4のオンに基づいて印加加速度の大きさを検出することができる。
請求項(抜粋):
移動可能に弾性支持されたおもり可動電極が印加加速度に応じて当該おもり可動電極の移動軌跡上に形成された固定電極に接触することによりオンするように構成されたセンサエレメントをセンサチップに複数形成し、前記センサエレメントがオンする印加加速度はセンサエレメント毎に異なるように設定されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (5件):
G01P 15/125 ,  G01H 1/00 ,  G01P 15/00 ,  G01P 15/02 ,  H01L 29/84
FI (5件):
G01P 15/125 ,  G01H 1/00 B ,  G01P 15/00 F ,  G01P 15/02 A ,  H01L 29/84 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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