特許

J-GLOBAL ID：200903041919372692

MOS型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 小宮山 一明
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026766
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 耐圧の低下を招かず、電流駆動能力の大きいMOS型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極と低濃度ドレイン領域間の絶縁膜を、ゲート酸化膜より厚くするとともに、ゲート電圧の印加によって、低濃度ドレイン領域表面が強反転し、キャリアが蓄積する厚さに設定する。ここで、低濃度ドレイン領域は、ゲート電極下まで拡散しない構造とする。このような構造のMOS型電界効果トランジスタを形成するため、500オングストローム程度の窒化膜をマスクに、不純物イオンを注入した半導体領域を熱酸化する。薄い窒化膜により形成する酸化膜は、おおきなバーズビークが形成され、チャネル方向への不純物イオンの拡散より、酸化速度が大きくなり、低濃度ドレイン領域上には、常に厚い酸化膜が形成することになる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体領域内に形成された逆導電型のソース領域およびドレイン領域と、該ソース領域およびドレイン領域間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを備えたMOS型電界効果トランジスタにおいて、前記ドレイン領域はドレイン電極と接触する逆導電型の高濃度拡散領域と前記ゲート電極方向に延出した逆導電型の低濃度拡散領域とを備え、該低濃度拡散領域と前記ゲート電極間に配置される絶縁膜を、前記ゲート絶縁膜より厚く、かつ前記ゲート電極に電圧が印加されたとき、前記絶縁膜下の低濃度拡散領域に加わる電界強度を緩和し、該低濃度拡散領域表面のキャリア濃度を増大させることができる厚さとしたことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-098938
  
• 特開昭61-166154
  
• MIS型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-109232   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平2-098938
  
• 特開昭61-166154