特許

J-GLOBAL ID：200903041934163684

歪量子井戸半導体レーザ

発明者： 粕川 秋彦 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  光技術研究開発株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204600
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【構成】 InP基板上(1)に光を発生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層(4′)と、これを上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層(3)(5)とを少なくとも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井戸層(4a)としてInAsy P1-y (01-x Gax P(0 請求項（抜粋）：

InP基板上に、光を発生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層と、これを上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層とを少なくとも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井戸層としてInAsy P1-y (01-x Gax P(0 引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-022185
  
• 特開平3-003384
  
• 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240606   出願人：日本電信電話株式会社