特許
J-GLOBAL ID：200903012472569523

化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子

発明者：
山本 ▲みつ▼夫

山本 ▲みつ▼夫 について

, 
山本 知生

山本 知生 について

, 
中野 純一

中野 純一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090062
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 InP単結晶基板上に、エピタキシャル成長法により形成した多重量子井戸構造を有した特性の優れた長波長帯半導体レーザ用単結晶エピタキシャル基板を提供する。【構成】 多重量子井戸構造の井戸層としてInAsy P1-y 三元混晶を用い、井戸層数に応じて、障壁層を基板の格子定数と整合させるか、より小さな格子定数を持たせたIn1-x Gax Asy P1-y 混合から構成するか、障壁層を多層のIn1-x Gax Asy P1-y 混晶から構成し、基板から井戸層間ではバンドギャップを基板から井戸層へ徐々に小さくし、井戸層からクラッド層間ではバンドギャップを井戸層からクラッド層へ徐々に大きくした。
請求項（抜粋）：
燐化インジウム(InP)単結晶基板に井戸層および障壁層を交互に積層して形成した量子井戸構造を有し、前記量子井戸を構成する障壁層が前記単結晶基板を構成する燐化インジウム単結晶に格子整合したIn1-x Gax Asy P1-y 四元混晶より構成されるとともに、井戸層がInAsy P1-y 三元混晶より構成されていることを特徴とする化合物半導体単結晶エピタキシャル基板。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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