特許
J-GLOBAL ID:200903041939467479
セラミック回路基板及び半導体発光モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-324728
公開番号(公開出願番号):特開2009-147210
出願日: 2007年12月17日
公開日(公表日): 2009年07月02日
要約:
【課題】 ヒートショックに対する耐久性に優れ、接合強度が高く、微細な配線パターンが形成できるセラミック回路基板および半導体発光モジュールを提供する。【解決手段】 セラミック回路基板10は、対向する第1面と第2面を有するセラミック基板12と、セラミック基板12の第1面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体14と、セラミック基板12の第2面に形成された銅層16を備え、銅層16は耐熱衝撃特性を有している。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
対向する第1面と第2面を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板の第1面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、
前記セラミック基板の第2面に形成された銅層又は銅合金層を有することを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (6件):
H05K 1/09
, H05K 1/03
, H05K 3/32
, H05K 1/02
, H01L 23/12
, H01L 33/00
FI (6件):
H05K1/09 A
, H05K1/03 610D
, H05K3/32 C
, H05K1/02 F
, H01L23/12 K
, H01L33/00 N
Fターム (32件):
4E351AA07
, 4E351DD04
, 4E351DD05
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD24
, 4E351GG04
, 4E351GG08
, 5E319AA03
, 5E319AC15
, 5E319AC16
, 5E319AC17
, 5E319BB01
, 5E319BB20
, 5E319CC12
, 5E319CC22
, 5E319GG01
, 5E319GG11
, 5E319GG20
, 5E338AA18
, 5E338CC08
, 5E338CD23
, 5E338EE02
, 5E338EE23
, 5E338EE27
, 5F041AA33
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041EE25
引用特許:
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