特許
J-GLOBAL ID：200903041941431864

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松本 裕司

松本 裕司 について

, 
橋本 浩二

橋本 浩二 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302504
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097788
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 素子間の絶縁分離を充分に確保しながら、装置全体の小型化及び高密度化を図った半導体装置を得る。【解決手段】 低圧側の素子を一定膜厚のフィールド酸化膜の部分で絶縁分離すると共に、高圧側の素子をこれより大きな膜厚のフィールド酸化膜の部分で絶縁分離する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜により絶縁分離された複数の電子素子と、から成る半導体装置であって、前記フィールド酸化膜は一定の膜厚の第1膜厚部分とこれより大きな膜厚の第2膜厚部分とから形成されていると共に、前記第2膜厚部分により絶縁分離された第2活性領域は前記第1膜厚部分により絶縁分離された第1活性領域よりも高い駆動電圧の電子素子を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 選択酸化素子分離領域を有する半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-168631   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平2-062793
  • 特開平2-021664
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