特許

J-GLOBAL ID：200903041942618925

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026992
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235477
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅系電子ビームレジストをマスクに用いて集積回路パターンの微細加工を高精度、高速に行う。【構成】 半導体ウエハ上に形成された化学増幅系電子ビームレジストに電子ビームを照射して得られるレジストパターンをマスクに用いて集積回路パターンを形成する際、集積回路の製造工程に応じてポジ型電子ビームレジストとネガ型電子ビームレジストとを使い分け、高スループットの電子ビーム直接描画を実現する。また、上記化学増幅系電子ビームレジスト上に導電性ポリマーを被着し、電子ビーム描画時のレジストのチャージアップを防止する共に、化学増幅系電子ビームレジストの安定化を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に被着した化学増幅系電子ビームレジストに電子ビームを照射し、照射部と未照射部の現像液に対するレジスト溶解速度の差を利用してレジストパターンを形成する電子ビーム露光工程を複数工程備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記複数の電子ビーム露光工程の一部の工程ではポジ型電子ビームレジストを用い、他の一部の工程ではネガ型電子ビームレジストを用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電剤形成用組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-324237   出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社