薄膜トランジスタ構造およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274505
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】大容量・高精細液晶ディスプレイの低価格化を実現することのできる逆スタガード型薄膜トランジスタの製造工程が高スループット化され、高性能化された薄膜トランジスタ構造およびその製造方法の提供。【解決手段】抵抗率が1〜50Ωcmで且つ膜厚が2〜10nmの、従来よりも低抵抗率且つ薄膜のn型化したアモルファスシリコン膜であって、しかもアイランド状アモルファスシリコンの上面と側面の両方で接触している構造を有する薄膜トランジスタ構造。

請求項（抜粋）：

少なくとも透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上にアイランド状に形成されたアモルファスシリコン膜、該アイランド状アモルファスシリコン膜に接するように形成された、n型化したアモルファスシリコン膜を介してソース・ドレイン電極が形成されてなる逆スタガード型薄膜トランジスタにおいて、前記n型化したアモルファスシリコン膜の抵抗率が1ないし50Ωcmの範囲であり、且つその膜厚が2ないし10nmの範囲であることを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232287 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-219174
特開平4-049674

全件表示

前のページに戻る