ドライエッチング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173990
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】安定かつ密度が1011/cm3以上であるプラズマを生成し、プロセスの変動があっても、ウエハ径が300mm以上でもウエハ面内で均一かつ低ダメージにpoly-Si、Al:Cu膜および酸化膜等が加工できる装置を提供する。【解決手段】有磁場UHF波エッチング装置のアンテナ部のVdcをエッチング中にモニタする電極を設け、電極の電位を基に、ウエハ上のVdcが均一になるようにウエハに印加するバイアスパワーの分布を制御し、ダメージ発生を防止する。

請求項（抜粋）：

真空処理室内に少なくとも1種の処理ガスを導入する手段と、上記処理ガスを真空室外に排気する排気手段と、上記真空処理室内の上部に設置された高周波を印加できる平板アンテナと、上記高周波と上記処理ガスから形成されるプラズマの密度もしくは電位等の状態を少なくとも2箇所以上で測定する手段を上記アンテナ内部に有すること特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 G , H05H 1/46 L

Fターム (43件)：

4K057DA02 , 4K057DA20 , 4K057DB01 , 4K057DB05 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DB20 , 4K057DD03 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG20 , 4K057DM02 , 4K057DM05 , 4K057DM06 , 4K057DM09 , 4K057DM18 , 4K057DM21 , 4K057DM29 , 4K057DM33 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004CA06 , 5F004CB05 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB07 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB16 , 5F004DB17 , 5F004EB01

引用特許：

出願人引用 (6件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300039 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-196319
特開平2-205019

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審査官引用 (9件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300039 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-196319
特開平4-196319

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