特許

J-GLOBAL ID：200903042000365025

レーザ照射装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 菅 勝行
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-257647
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078488
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】レーザ光の照射による経時的に均一な加工が可能なレーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ照射装置10は、レーザ光源11と、レーザ光源11からのレーザ光を照射して加工する被加工物20をセットするための被加工物セット部12と、レーザ光源11から被加工物セット部12までのレーザ光路に介設された光学素子141,142,15,16,17と、レーザ光源11と光学素子141,142,15,16,17との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第1シャッター131と、光学素子141,142,15,16,17と被加工物セット部12との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第2シャッター132と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザ光源と、 上記レーザ光源からのレーザ光を照射して加工する被加工物をセットするための被加工物セット部と、 上記レーザ光源から上記被加工物セット部までのレーザ光路に介設された光学素子と、 上記レーザ光源と上記光学素子との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第1シャッターと、 上記光学素子と上記被加工物セット部との間のレーザ光路に開閉可能に介設された第2シャッターと、 を備えたレーザ照射装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/00

FI (5件)：

H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  B23K26/06 J ,  B23K26/06 Z ,  B23K26/00 H

Fターム (19件)：

4E068CD10 ,  4E068DA10 ,  5F152AA08 ,  5F152BB02 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE24 ,  5F152EE01 ,  5F152EE02 ,  5F152EE05 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF06 ,  5F152FF09 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG12 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザ照射方法、レーザ照射装置、および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-305339   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所