レーザ照射方法、レーザ照射装置、および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305339
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148086
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】また、CWレーザまたは擬似CWレーザを用いてレーザアニールを行った場合、エキシマレーザを用いた場合に比べ生産性が悪く、更なる生産性の向上が必要である。【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を半導体薄膜に照射してレーザアニールを行うことを特徴とする。非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。従って、一度の走査で形成される大粒径結晶の領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザの繰り返し周波数が10MHz以上のレーザ発振器から射出した基本波である第1のレーザビームを集光レンズを用いて整形して第2のレーザビームとし、前記第2のレーザビームを照射面に照射し、前記第2のレーザビームを前記照射面に対して相対的に移動させることを特徴とするレーザ照射方法。

IPC (7件)：

H01L 21/268 , H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (5件)：

H01L21/268 J , H01L21/265 602C , H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L27/12 B

Fターム (121件)：

5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ21 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25 , 5F152AA06 , 5F152AA08 , 5F152AA13 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB06 , 5F152BB08 , 5F152BB09 , 5F152BB10 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CD23 , 5F152CD27 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE35 , 5F152EE02 , 5F152EE03 , 5F152EE05 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FF30 , 5F152FF32 , 5F152FF36 , 5F152FF41 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG05 , 5F152FG12 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152LL16 , 5F152LP01 , 5F152LP06 , 5F152LP08 , 5F152MM01 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152NN14 , 5F152NN20 , 5F152NN30 , 5F152NP03 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NP17 , 5F152NP23 , 5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (12件)

レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-162817 出願人：富士写真フイルム株式会社, 富士写真光機株式会社
ポリシリコン薄膜半導体およびポリシリコン薄膜半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098656 出願人：松下電器産業株式会社
画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-215021 出願人：株式会社日立製作所

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Subbandgap laser-induced single event effects: Carrier generation via two-photon absorption"

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