特許
J-GLOBAL ID：200903042007848943
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058084
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190133
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】半導体レーザ装置から出射したレーザ光の光軸が基準面の法線に一致する樹脂封止タイプの半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】主ポストと一体の主板5pにサブマウント3を介して固着されたレーザダイオード(LD)チップ1は端面破壊防止層10により被覆され、さらに封止樹脂9により封止されてなり、主板の端部が法線をZ軸とする基準面を有するベースリング40の溝部4gに固着されており、LDチップから出射するレーザ光の光軸ζをチップ光軸、端面破壊防止層と封止樹脂との界面のレーザ光軸通過域を第1の界面および封止樹脂と大気との界面のレーザ光軸通過域を第2の界面とする半導体レーザ装置において、少なくとも前記チップ光軸、前記第1または前記第2の界面の法線、または前記溝部の方向のいずれかをZ軸に対して傾けて、第2の界面から大気に出射されたレーザ光の光軸をZ軸に平行とする。
請求項（抜粋）：
主ポストと一体の主板にサブマウントを介して固着されたレーザダイオードチップは端面破壊防止層により被覆され、さらに封止樹脂により封止されてなり、主板の端部が法線をZ軸とする基準面を有するベースリングに固着されており、レーザダイオードチップから出射するレーザ光の光軸をチップ光軸、端面破壊防止層と封止樹脂との界面のレーザ光軸通過域を第1の界面および封止樹脂と大気との界面のレーザ光軸通過域を第2の界面とする半導体レーザ装置において、少なくとも前記チップ光軸、前記第1の界面の法線または前記第2の界面の法線のいずれかはZ軸に対して傾いていることにより、前記第2の界面から大気に出射されたレーザ光の光軸がZ軸に平行であることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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