全位相マスクおよびトリムマスクを用いた微小寸法制御

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-571796
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518569
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】全位相位相シフトマスク(FPSM)とそれに対応するトリムマスクとを含むマスクセットを用いて微小寸法特徴形状をICウェーハ上に結像するプロセスを効率化する。【解決手段】使用輻射線波長以下の微小寸法の特徴形状をウェーハ上に結像するために全位相位相シフトマスク(FPSM)およびそれと対応のトリムマスクを含むマスクセットを用いる。FPSMへの位相割当てにより、とくに非微小寸法領域で特徴形状の一部をトリムマスクで画定できる。しかし、この特徴形状の部分画定は、非微小寸法領域で微小寸法(CD)の大幅な変動を生ずる原因になり得る。このような望ましくない微小寸法(CD)の変動は、マスク目合せずれが大きい場合でも、T字交叉部や腕状部や、それ以外の交叉ライン部などの非微小寸法領域でトリムマスクによる特徴形状複数端部の画定を行うことにより、よりよく抑制することができる。

請求項（抜粋）：

ウェーハの表面上の材料の層の特徴形状の微小寸法(CD)制御を改良する方法であって、前記特徴形状の微小寸法端部を、全位相位相シフトマスク(FPSM)、すなわち位相衝突を解消するように互いに隣接する位相シフタの間に設けられ前記FPSMの利用により前記特徴形状を画定する第1の切欠部のセットと、前記第1の切欠部のセットに隣接して設けられトリムマスクの利用により前記第1の切欠部のセットに隣接する端部の画定を可能にする第2の切欠部のセットとを含むFPSMで画定する過程と、前記第2の切欠部のセットに対応する非微小寸法端部を前記トリムマスクで画定する過程とを含む方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F1/08 A , G03F7/20 521 , H01L21/30 516Z

Fターム (5件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 5F046AA25 , 5F046BA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

USP 5 537 648
USP 5 766 806
USP 6 057 063

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審査官引用 (2件)

マスクパターン設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065639 出願人：株式会社東芝
ハイブリッド位相シフト・マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132435 出願人：アスムルマスクツールズネザーランズビー.ブイ.

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