ハイブリッド位相シフト・マスク

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132435
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356466
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】光学的露光ツールの使用によって、集積回路に対応するリソグラフィック・パターンをマスクから半導体基板上に光学的に転写するためのハイブリッド・マスクを形成する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、低透過率位相シフト・マスク(パターン)と非位相シフト・マスク(パターン)の一方を利用してマスク上に少なくとも1つのクリティカルでないフィーチャを形成するステップと、高透過率位相シフト・マスク(パターン)を利用してマスク上に少なくとも1つのクリティカルなフィーチャを形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ露光装置を使用して基板上にリソグラフィ・パターンを転写するためのマスクであって、低透過率位相シフト・マスクおよび非位相シフト・マスクのうちの一方を利用して形成される少なくとも1つの非クリティカル・フィーチャと、高透過率位相シフト・マスクを利用して形成される少なくとも1つのクリティカル・フィーチャと、を有するマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 D , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Fターム (7件)：

2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BC24 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046BA06 , 5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (6件)

透過型露光用位相シフトマスクおよび該シフトマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-027100 出願人：松下電子工業株式会社
位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-161319 出願人：富士通株式会社
特開平4-318849

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