特許
J-GLOBAL ID：200903042016069680
エピタキシャルウエハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蛭川 昌信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139623
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335715
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 PN接合を有するエピタキシャルウエハにおいて、光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする。【構成】 PN接合を有するエピタキシャルウエハの第1P型層を気相成長法で成長させた後、熱拡散法により第1P型層に第1P型層より高いキャリア濃度の第2P型層を形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
PN接合を有するエピタキシャルウエハにおいて、P型層は第1P型層と第2P型層とからなり、第2P型層は、第1P型層より高いキャリア濃度であることを特徴とするエピタキシャルウエハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 21/205
