特許

J-GLOBAL ID：200903042029651671

半導体装置の製造装置及びその使用方法

発明者： 前田 和夫 ,  大平 浩一 ,  千野 博
出願人/特許権者： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320504
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168889
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、CVD法によりウエハ上に膜形成を行うための半導体製造装置に関し、装置の稼働率を低下させることなくチャンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】ウエハ24上に膜を形成する反応ガスをガス放出面32から放出するガス分散具30と、ガス放出面32を含む平面と対向するウエハ載置面を有するウエハ保持具21と、回動軸37に固定され、吸引口36と該吸引口36と接続されたブラシ35とを有するクリーナ34とを具備し、ウエハ保持具21はガス分散具30のガス放出面32への近接,隔離が可能な移動手段を有し、クリーナ34はガス放出面32上と該ガス放出面32上以外のところとの間を回動し、かつガス放出面32上に回動したクリーナ34のブラシはガス放出面32に接触することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に膜を形成する反応ガスをガス放出面から放出するガス分散具と、前記ガス放出面を含む平面と対向するウエハ載置面を有するウエハ保持具と、回動軸に固定され、吸引口と該吸引口と接続されたブラシとを有するクリーナとを具備し、前記ウエハ保持具は前記ガス分散具のガス放出面への近接,離隔が可能な移動手段を有し、前記クリーナは前記ガス放出面上と該ガス放出面上以外のところとの間を回動し、かつ前記ガス放出面上に回動したクリーナのブラシは前記ガス放出面に接触することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-022359   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社