特許

J-GLOBAL ID：200903042029679525

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 寺田 典裕 ,  原田 康樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045837
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、基板からの不純物の拡散を抑制するバッファ層のクラック等の発生を抑制し、電界効果移動度が高い多結晶半導体膜を製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、絶縁性基板1にSiO2 膜2を堆積し、その表面にSiONx 層3を形成し、このSiONx 層3上に非晶質半導体層4を形成した後、高エネルギービーム11を照射し、非晶質半導体層を再結晶化して多結晶半導体膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にSiONx 層を形成し、このSiONx 層上に非晶質半導体層を形成した後、高エネルギービームを照射し、上記非晶質半導体層を再結晶化して多結晶半導体膜を形成することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-132120
  
• 特開平3-004564
  
• 特開昭1-185917
  
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151698   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭61-185917